Au/n-ZnO肖特基势垒特性的退火行为研究

作者：袁国栋; 叶志镇; 朱丽萍; 钱庆; 曾昱嘉

来源：浙江大学学报(工学版), 2004, (10): 15-18.

• ZnO薄膜
• 肖特基势垒
• 退火
• IV特性 ZnO thin films
• Schottky barriers
• annealing
• I-V characteristics

报道了Au/n ZnO形成的肖特基势垒经不同温度退火后其特性的变化.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试对ZnO外延片的晶体质量和电学性能进行测试.采用集成电路标准工艺在ZnO外延层上制备了Si3N4隔离层及Au电极,并对该结构进行不同温度下的退火实验,分别测量其I V特性.结果表明ZnO外延层具有高度C轴取向,表面光洁,平整,外延层与衬底之间有明显的过渡区.退火前后的样品在室温下的I V测试结果表明,Au/n ZnO具有明显的整流特性,其中673K,1min退火所得的反向漏电流仅为-0.017μA(-5V).

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室