一种具有势垒层表面P型掺杂的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

作者：贾护军; 王笑伟; 董梦宇; 朱顺威; 杨银堂

来源：2021-02-08, 中国, ZL202110180298.9.

本发明提供了一种具有势垒层表面P型掺杂的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管；自下而上设置有：半绝缘衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)和AlGaN势垒层(4)；所述AlGaN势垒层(4)的上表面从左到右分别设有源电极(5)、栅电极(6)和漏电极(7)；从栅电极(6)与源电极(5)之间的所述AlGaN势垒层(4)的表面处向下进行掺杂形成栅源间表面P型掺杂区域(8)；从栅电极(6)与漏电极(7)之间的所述AlGaN势垒层的表面处向下进行掺杂形成栅漏间表面P型掺杂区域(9)。本发明旨在提高器件击穿电压的同时可以改善直流特性与频率特性,增强器件的输出功率密度与功率附加效率。

• 单位
  西安电子科技大学