随着集成电路中工艺尺寸的不断缩减,锁存器也越来越容易受到粒子辐射引起的三节点翻转的影响。针对该问题,基于C单元的结构,提出一种低功耗、低延时和高鲁棒性的三节点翻转并自恢复的MKEEP锁存器。通过仿真实验和PVT的波动实验表明,相对于其他拥有三节点容忍或自恢复能力的锁存器,该锁存器拥有低功耗、低延迟和更小的面积开销,且对工艺、电压和温度的敏感度较低,优势明显。