SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响

作者：王玉东; 徐阳; 张伟; 李希有; 刘爱华

来源：微电子学, 2008, (05): 601-603.

• SiGeHBT
• 欧拉电压
• 硼外扩散

欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。

• 单位
  清华大学