磁控溅射参数对氧化钨薄膜结晶性的影响

作者：陆文琪; 高可心

来源：青海师范大学学报(自然科学版), 2023, 39(02): 18-28.

DOI：10.16229/j.cnki.issn1001-7542.2023.02.011

• 氧化钨薄膜
• 射频磁控溅射
• 结晶性

氧化钨薄膜的结晶性对于其电致变色、紫外光电效应等特性影响显著.本文研究了射频磁控溅射制备氧化钨薄膜的实验参数对薄膜结晶性的影响.结果发现，升高衬底温度至265℃以上或室温下降低沉积气压至0.5Pa都可以获得含有结晶态的氧化钨薄膜，但前者为(001)择优取向，后者为(111)择优取向，而室温下当沉积气压在1Pa以上时则不能得到择优生长的氧化钨薄膜.此外，我们还发现氩氧流量比对薄膜的结晶性也有影响.这些结果可以为调控射频磁控溅射制备氧化钨薄膜的结晶性提供参考.

• 单位
  大连理工大学; 物理学院