Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光

作者：孙凯; 徐万劲; 冉广照

来源：北京大学学报(自然科学版), 2010, (01): 12-16.

DOI：10.13209/j.0479-8023.2010.003

• 富硅氮化硅
• Er
• Ni
• 光致发光 Si-rich nitride
• Er
• Ni
• photoluminescence

采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN:Er)薄膜和SRN:Er/Ni3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN:Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750nm的发光带和一个峰位在1.54μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳米硅,后者为Er3 的特征发射。SRN:Er/Ni超晶格的光致发光谱上出现Er3 在520,550和850nm附近的精细结构,并且Er3 在1.54μm的发光有12倍的增强。光谱精细结构的出现证明Er3 的微观环境由于掺Ni而变得有序。与在SRN中相比,在这种有序环境中Er3 的光学活性有明显的增强。拉曼散射光谱测量证明在SRN:Er...

• 单位
  北京大学