科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明涉及一种基于叠层钝化型的高电子迁移率晶体管及制备方法,包括：S101、选取外延基片；所述外延基片由下往上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；S102、在所述外延基片上制作源电极和漏电极；S103、在所述外延基片表面上依次生长氮化硅层和富硅层形成叠层钝化结构；S104、光刻栅极槽,在所述栅极槽和所述富硅层上生长栅介质层；S105、制备栅电极和金属互联层以完成所述高电子迁移率晶体管的制备。本发明提供的基于叠层钝化型的高电子迁移率晶体管及制备方法在生长SiN层再生长一层富硅层层,可以阻止水汽和氧进入GaN高电子迁移率晶体管,提高器件在潮湿环境下输出电流。
- 单位
