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摘要
本发明公开一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向双扩散晶体管。该结构是在漏端的漂移区下方设置一个辅助耗尽衬底埋层,同时在LDMOS的漂移区下方、靠近衬底辅助耗尽埋层的衬底区域设置一个具有部分电荷补偿的衬底埋层,在器件的表面横向电场引入一个新的电场峰,使得器件的表面横向电场分布更加均匀,很好的优化了器件的表面横向电场,并同时也在器件体内纵向电场分布中也引入新的电场峰,使得体内纵向电场同时得到了进一步优化。该结构突破了由于纵向耐压受限而带来的电压饱和现象,最重要的是能够切实地同时优化表面横向电场和体内纵向电场,大幅度提高器件的击穿电压。
- 单位
