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摘要
采用真空高温和真空高频2种热处理工艺对铈钨电极进行热处理,利用金相显微镜、电子探针显微分析仪（EPMA）和X-射线光电子能谱（XPS）等测试分析对热处理前后的铈钨电极表面金相形貌和铈元素的浓度-深度分布及价态演变进行研究,以此分析了电极中铈元素的扩散和富集的行为机理,阐明了热处理工艺对制灯后铈钨电极发射性能的影响。结果表明,经过高频处理后表面铈元素含量高达11.75%,且Ce3+的相对比例高于真空处理电极,更加有利于提高阴极的发射性能。结果表明,经过高频处理后表面铈元素含量高达11.75%,且Ce3+的相对比例高于真空处理电极,更有利于提高阴极的发射性能。
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单位中国科学院上海光学精密机械研究所; 中国科学院大学; 高等研究院
