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摘要
<正>目前,半导体功率元器件主要以三种材料为基础,分别是硅、碳化硅(SiC)以及氮化镓(GaN)。当这些元器件用于电力电子设备等高功率系统时,硅材料存在着如下局限性:一是热导率有限,二是在某些应用中切换频率困难,三是低带隙能量,四是更高的功率损耗。与普通的硅材料相比,碳化硅(SiC)的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此,已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场,罗姆半导体(ROHM)、恩智浦半
