一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器

作者：于晓权; 范国亮

来源：微电子学, 2020, 50(06): 784-788.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.200492

• 运算放大器
• BiFET工艺
• 高输入阻抗
• 输入偏置电流/失调电流
• 输入电压噪声谱密度

针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和■量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所