微波烧结制备碳化硅晶须的影响因素

作者：郝斌; 刘剑; 刘进强; 王福

来源：材料热处理学报, 2013, (08): 1-5.

DOI：10.13289/j.issn.1009-6264.2013.08.005

• 微波烧结
• 温度
• 碳化硅
• 晶须 microwave sintering
• temperature
• SiC
• whisker

将干燥后的硅溶胶-活性炭作为反应物,在不加入任何金属催化剂的情况下,利用微波加热碳热还原法合成碳化硅晶须,研究反应温度和时间及坩埚部位对产物的影响。结果表明:30 min时,温度由1300℃升高到1600℃,产物中物相β-SiC越来越多;1500℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和团聚在一起的SiC晶须;坩埚底部的产物主要为表面光滑的SiO2颗粒。1600℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和等轴状β-SiC颗粒,底部为晶须和颗粒的混合物。1500℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率优于1600℃×30 min得到的SiC晶须产率和...

• 单位
  唐山学院; 中国科学院唐山高新技术研究与转化中心