希瓦氏菌Shewallena oneidensis MR-1合成硒纳米棒

作者：邓欢; 郑志勇; 赵峰

来源：微生物学报, 2015, 55(08): 1074-1078.

DOI：10.13343/j.cnki.wsxb.20140506

• 希瓦氏菌
• 厌氧培养
• 扫描电镜
• 硒纳米棒
• X射线衍射

【目的】探索采用希瓦氏菌合成硒(Se)纳米棒,并阐明合成底物Se(IV)的浓度与细菌培养时间对生物合成的影响。【方法】将希瓦氏菌Shewallena oneidensis MR-1接种至Luria-Bertani(LB)液体培养基,分别以Se(IV)浓度0.1、1、10和100 mmol/L的Na2SO3作为电子受体,厌氧培养并绘制生长曲线。再将希瓦氏菌接种到含最适Se(IV)浓度的LB培养基中,在厌氧培养后第24和72 h离心获取沉淀。采用扫描电镜、X射线能谱和X射线衍射对沉淀进行分析。【结果】在Se(IV)浓度1 mmol/L的培养基中培养24 h形成的纳米棒沉淀截面直径约80 nm,长度2-3μm。而培养72 h形成的沉淀较大,超出纳米物质范畴。采用X射线能谱和X射线衍射确定纳米棒组成为单质Se。【结论】本研究为生物合成Se纳米棒提供了一种可行的方法。希瓦氏菌最适宜在1 mmol/L Se(IV)浓度下以及在对数生长期大量合成Se纳米棒,具有潜在应用价值。

• 单位
  中国科学院城市环境研究所; 南京师范大学