寄生参数对并联SiC MOSFET电流不均衡的影响

作者：张永刚; 宁平凡; 刘婕; 王迪迪; 肖宁如; 李玉强^*

来源：聊城大学学报(自然科学版), 2021, 34(05): 8-14.

DOI：10.19728/j.issn1672-6634.2021.05.002

• 寄生电感
• 寄生电容
• 并联SiC MOSFET
• 电流不均衡

SiC MOSFET并联使用是提高系统功率密度的有效手段。在高频高压环境中并联使用的SiC MOSFET,由于寄生电感,寄生电容等因素的差异,导致并联电流难以实现均衡。为分析导致电流不均衡现象的影响因素,本文采用CREE公司官网所提供的spice模型搭建了相关仿真测试电路。基于数据手册中所提供的器件参数,分别对寄生电容和寄生电感等参数进行差异化设置,利用PSpice软件进行仿真。分析了在负载电压为600V时,不同寄生参数对动态和静态电流不均衡的影响程度。最后设计了一种基于阻抗平衡联合磁芯电感的方法对并联SiC MOSFET动静态电流不均衡进行抑制,有效抑制了并联SiC MOSFET电流不均衡现象的发生。

• 单位
  自动化学院; 天津工业大学