LDMOS漂移区结构优化的模拟

作者：徐亮; 刘先锋; 郑国祥

来源：固体电子学研究与进展, 2006, 26(1): 6-10.

DOI：10.3969/j.issn.1000-3819.2006.01.002

• 横向双扩散金属氧化物晶体管
• 双重降低表面电场
• P型表面注入层
• 导通电阻
• 击穿电压

RESURF LDMOS很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求.文中采用了Double RESURF(双重降低表面电场)新结构,使漂移区更易耗尽.从理论和模拟上验证了Double RESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不变的情况下减小导通电阻的效果.同时,在LDMOS结构中加人DoubleRESURF结构也降低了工艺上对精度的要求.为新结构和新工艺的开发研制作前期设计和评估.

• 单位
  复旦大学