纳米ZnO阵列场发射性能研究

作者：唐海平; 叶志镇; PARKJi-yong

来源：宝鸡文理学院学报(自然科学版), 2009, (04): 19-23.

DOI：10.13467/j.cnki.jbuns.2009.04.008

• ZnO
• 场发射
• 开启场强
• 阈值场强 ZnO
• field emission
• turn-on field
• threshold field

目的为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标。方法采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析。结果和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈值场强。其中衬底镀Au并在此衬底上生长的Al掺杂ZnO纳米阵列开启电场小于0.5 V/μm、阈值电场为4.5 V/μm。