AgGaS_2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究

作者：雷勇波; 赵北君; 朱世富; 陈宝军; 谭波; 吴小娟; 黄毅

来源：人工晶体学报, 2008, (01): 25-28.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.01.008

• 红外非线性光学材料
• 硫镓银单晶体
• 生长安瓿
• 镀碳工艺

研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响,发现在气体流量为30~40ml/min,镀碳温度为1040~1060℃,镀碳时间为30~40min,冷却时间为10~12h的条件下,可获得均匀、致密且结合牢固的碳膜层。用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS2晶体表面光洁,完整性好,缺陷较少。

• 单位
  四川大学