修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜的光电性能

作者：郑华靖; 蒋亚东; 徐建华; 杨亚杰

来源：功能材料, 2010, (09): 1501-1506.

• PEDOT
• LB膜法
• 光电性能
• 测量 PEDOT
• LB film method
• photoelectric properties
• measurement

采用修饰LB膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜。UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"渝渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变。测试结果还表...

• 单位
  电子科技大学; 光电信息学院; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室