蓝宝石上GaN基多层膜结构椭偏研究

作者：杜江锋; 赵金霞; 罗谦; 于奇; 夏建新; 杨谟华

来源：功能材料, 2010, (05): 878-880.

• GaN
• 椭圆偏振光谱
• InN
• Ga2O3 GaN
• spectroscopic ellipsometry
• Ga2O3

对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦...

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室