SOI器件的kink效应研究

作者：王青松^*; 彭宏伟; 黄天; 杨正东; 朱少立; 徐大为

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(03): 225-229.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.03.002

• SOI器件
• kink效应
• I-V特性

研究了SOI器件中的kink效应，主要包括不同器件类型、不同体接触结构、沟道长度以及栅氧厚度对kink效应的影响。研究发现NMOS器件由于能够产生较多的电子空穴对，在输出特性曲线中呈现明显的kink效应，而PMOS器件由于空穴的电离率较低，碰撞电离产生的电子-空穴对远低于NMOS器件，它的kink效应不明显。对源体短接、H型栅和T型栅三种不同结构的NMOS器件进行研究，发现T型栅器件kink效应最明显。比较了不同沟道长度对kink效应的影响，发现沟道越短，kink效应越明显。比较了栅氧厚度对kink效应的影响，发现随着栅氧厚度减小，kink效应越明显，这主要是由于隧穿电流引起的。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所