退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响

作者：朱宝富; 黄柏标; 秦晓燕; 李先林; 姚书山; 尉吉勇; 张琦

来源：人工晶体学报, 2004, (05): 755-757.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2004.05.013

• MOCVD
• 退火
• ZnO薄膜
• X射线衍射
• 光致发光谱 <Keyword>MOCVD
• annealing
• ZnO thin film
• X-ray diffraction
• photoluminescence spectrum

我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响。通过退火优化,ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东大学