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摘要
射频微系统集成对芯片满足各种工程应用需求及产品化提出了更高的需求，也为通信-雷达-电子战一体化的综合射频系统理念构建提供有效支撑。本次设计的是一款基于CMOS工艺的P波段上变频发射芯片。CMOS工艺因其与数字电路的高集成度特性，以及量产后的相对低成本特性，在射频芯片领域受到越发广泛的关注。P波段一方面可以直接作为射频频率使用，另一方面也可以作为高频两次变频超外差收发机的中间频率，有较广泛的应用空间。本次设计除了追求综合指标性能，在可靠性、温度特性、静电防护等方面进行了充分考虑和专项附加设计，芯片的测试结果说明其性能充分满足应用需求。在-55℃到125℃全温范围内，具有约为10 dB适中的变频增益，并具有负温斜率，具备较高的各端口隔离度、线性度，覆盖-10 dBm到+10 dBm的本振功率适应性，在系统应用中具有较高的实用价值，验证了设计理论的正确性。
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单位中国航天科工集团公司; 成都航天通信设备有限责任公司; 东南大学
