利用等离子体化学气相沉积技术,在引入Ti过渡层后的Co膜表面一步制备出碳纳米片-碳纳米管复合材料,研究了Co膜厚度对复合材料形貌及场发射性质的影响.当Co薄膜厚度为11nm时,得到了垂直基片定向生长的碳纳米管和碳纳米片复合物,此时,碳纳米片分布在碳纳米管的管壁上和管的顶端,样品的场发射性能最佳.