针对N沟道结型场效应晶体管(NJFET)在工艺制造过程中极易出现饱和电流一致性差的问题，从一次氧化、栅注入和栅推结等方面对饱和电流工艺影响因子开展了实验研究，并提出了工艺优化和控制方法，使器件饱和电流参数得到有效控制，一致性由6.90%改善至0.38%,圆片对档率由85%提升到96%以上，提升了器件产品质量，降低了成本。
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