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摘要
一种表面P型氧化镓的制备方法,在衬底上生长氧化镓层,然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯,最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后,转移到氧化镓层上,构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面,利用异质结界面强烈的电荷转移获得无晶格受损的表面P型氧化镓。本发明摒弃了传统的离子掺杂工艺,采用异质工程转移自对准工艺制备表面P型氧化镓,降低了成本,简化了工艺。本发明通过界面电荷转移效率实现氧化镓表面的电子抽取和空穴注入,不会阻碍载流子的输运特性。本发明通过异质工程制备的P型氧化镓,通过界面强烈的电荷转移实现,对氧化镓表面进行有效的空穴注入,从而实现更加有效的P型氧化镓。
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单位西安电子科技大学芜湖研究院
