沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶

作者：姜守振; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 胡小波; 徐现刚; 王继杨; 蒋民华

来源：人工晶体学报, 2007, (01): 14-17.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.01.004

• 升华法
• SiC
• 微管
• 多型 sublimation method
• micropipe
• polytype

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室