一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法

作者：杨林安; 陈尧; 岳航博; 胡啸林; 马晓华; 郝跃

来源：2022-02-07, 中国, CN202210116370.6.

本发明公开了一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法,所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、InP副沟道、第一未掺杂In-(0.22)Ga-(0.78)As副沟道、未掺杂In-(0.7)Ga-(0.3)As主沟道、第二未掺杂In-(0.22)Ga-(0.78)As副沟道、未掺杂InAlAs隔离层、delta-doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n～+InGaAs源极帽层、n～+InGaAs漏极帽层、源极电极、漏极电极、钝化层和栅极电极。本发明能够提高InP基HEMT的击穿电压,并保持高In组分沟道的输出特性和截止频率,提高晶体管均匀性和重复性的稳定性,满足InP基电子器件在低功耗低噪声、数字电路领域的应用要求。

• 单位
  西安电子科技大学