瓦片式TR组件用AlN陶瓷基板制造工艺研究

作者：王颖麟; 钱超; 李俊; 赵明

来源：电子工艺技术, 2020, 41(04): 208-229.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2020.04.007

• TR组件
• 瓦片式
• AlN陶瓷基板
• 多层共烧

AlN(氮化铝)多层基板技术可实现瓦片式TR组件的高可靠和高密度集成。针对瓦片式TR组件对高导热、高布线密度需求,研究了高温共烧多层AlN基板制造的关键工艺,主要包括高精度层叠工艺、烧结工艺、表面镀覆工艺等。通过优化工艺参数,制作了微波传输线测试用AlN基板样件和瓦片式TR组件用AlN基板。对样件的电性能和物理性能进行测试,满足瓦片式TR组件使用要求。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二研究所; 北京遥测技术研究所