温度对Zn掺杂TiO_2薄膜光电化学性能的影响

作者：高家诚; 谢奉妤; 张敏

来源：功能材料, 2013, (06): 826-830.

• TiO2
• 锌掺杂
• 热处理
• 光电化学性能 TiO2
• Zn2+-doping
• heat treatment
• photoelectrochemical performance

以四氯化钛为前驱体,以ZnCl2为锌源,采用溶胶-凝胶法在纯钛基体上制备了Zn掺杂纳米TiO2薄膜(Zn-TiO2),研究了温度对Zn掺杂纳米TiO2薄膜在0.2mol/L Na2SO4中的光电化学性能的影响。根据Mott-Shottky曲线可知,Zn-TiO2薄膜为n型半导体;经过300℃热处理的Zn-TiO2薄膜,导带位置最高,空间电荷层宽度W最大。从电化学阻抗谱得到,光照下300℃热处理的Zn-TiO2薄膜电阻较暗态下降低最多。通过线性伏安曲线发现,300℃热处理的Zn-TiO2薄膜具有最强的光电流。

• 单位
  国家镁合金材料工程技术研究中心