InP基C波段高线性激光芯片的设计与制备

作者：薛正群

来源：电子世界, 2021, (15): 200-201.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2021.15.085

• InP
• MOCVD
• 光通信
• 高线性
• 半导体激光器
• 异质结结构
• InGaAsP

<正>本文通过设计和优化InP/InGaAsP外延材料和芯片结构实现高线性掩埋结构(BH)FP激光芯片;通过不同腔长芯片测试结果显示:1200μm为优化腔长,芯片出光功率在400mA电流下超过130mW,光谱峰值波长在光通信C波段,芯片出光水平和垂直发散角分别为5°和15°,试验结果为进一步优化高线性激光器提供基础。

• 单位
  中国科学院福建物质结构研究所