摘要

磁控溅射具有制备的薄膜纯度高、致密性好、均匀,膜-基结合牢固、工艺重复性好,适合制备取向性无机非金属薄膜等优点,在微电子领域具有广泛的应用前景。研究了BaTiO3薄膜沉积过程中的氩氧比、溅射温度、溅射时间、溅射功率等参数对薄膜微观结构的影响。结果表明,以取向性SrTiO3为基底,当氩氧比为3∶1,基底温度为750℃,沉积时间为90 min,溅射功率为80 W时能够获得结晶较好、表面光滑、界面平整,厚度约为177 nm的(100)取向性BaTiO3薄膜。通过优化工艺参数可以提高薄膜的质量和性能,为利用磁控溅射技术制备性能优异的压电薄膜奠定了基础。

  • 单位
    陕西航天时代导航设备有限公司