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摘要
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了SnZn相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2CuZn+SnZn]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[CuZn+SnZn]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与SnZn相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。
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单位红外物理国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所; 华东师范大学
