摘要

从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.

  • 单位
    南京大学; 固体微结构物理国家重点实验室