本实用新型公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器,从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底,所述金属受光面电极下端设置金属-半导体接触层,所述金属-半导体接触层被离子掺杂杂质阻挡带包围。所述金属-半导体接触层形成了肖特基接触,具有一定高度的肖特基势垒；离子掺杂杂质阻挡带进一步增强了肖特基势垒,降低了暗电流,可以有效减小半导体光吸收层的掺杂浓度和光生载流子效率,增大器件光响应。
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