温度和偏压对4H-SiC FinFET器件单粒子瞬态效应的影响

作者：刘保军; 钱亮; 杨晓阔; 周平

来源：原子核物理评论, 2023, 40(03): 454-458.

• 单粒子瞬态
• FinFET
• 温度
• 偏压
• 4H-SiC

基于TCAD构建了14 nm SOI 4H-SiC FinFET器件的单粒子瞬态(SET)仿真模型。设置环境温度范围258～398 K，分析了不同偏压对器件的SET的影响，并探讨了其作用机理。结果表明，温度的升高，改变了器件的费米能级，减小了带隙，增大了驱动电流，增强了器件的抗SET免疫性；偏压的增大，增加了内部电场，提高了电荷收集率，增加了器件的SET敏感性。由于温度和偏压对SET影响的竞争关系，使得器件在温度398 K、偏压0.4 V时，所产生的SET最弱，与温度300 K、偏压0.8 V的SET相比，其峰值电流和收集电荷分别相对减小22.77%、50.83%。

• 单位
  空军工程大学