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摘要
本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法，AZTO溅射功率为100 W，氩氧比为98∶2，溅射时间为15 min，在硅衬底上制备了以AZTO为有源层，沟道宽度为10 um、20 um、30 um、40 um的薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）。并采用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）、半导体参数仪和紫外-可见分光光度计，分别对薄膜表面粗糙度、薄膜的体相结构、器件电学性能以及光透过率进行表征。结果表明：上述条件制备的AZTO薄膜成膜质量较好，随着沟道宽度的变窄，开态电流逐步增大，阈值电压逐渐负向偏移，电流开关比逐渐变大，器件的整体性能依然是逐渐提高的，在沟道宽度为10 um时，开态电流为，阈值电压为-7.843 2 V，电流开关比达到。
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