水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究

作者：崇乐; 栗旭阳; 蔡长龙^*; 梁海锋; 裴旭乐; 弥谦; 喻志农^*

来源：半导体光电, 2022, 43(05): 861-866.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2022050601

• IGZO-TFT
• 水基溶液法
• 紫外光辅助退火
• 偏压稳定性

采用水基溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT),研究了在有无紫外光辅助退火条件下，不同后退火温度(270,300,330,360和400℃)对IGZO-TFT器件电学性能的影响。研究发现，IGZO-TFT在后退火温度为360℃时器件电学性能最佳，从而证明了水基溶液法在小于400℃的低温下可以制备IGZO-TFT。同时，研究表明，在后退火温度为360℃时，与无紫外光辅助退火IGZO-TFT相比，经紫外光辅助退火IGZO-TFT的饱和迁移率从1.19 cm2/Vs增加到1.62 cm2/Vs,正栅偏压偏移量从8.7 V降低至4.6 V,负栅偏压偏移量从-9.7 V降低至-4.4 V,从而证明了紫外光辅助退火对IGZO薄膜具有激活与钝化作用，可以优化IGZO-TFT器件的电学性能。

• 单位
  西安工业大学; 北京理工大学