针对航天器电子系统半导体器件因受到宇宙高能粒子辐射而影响使用寿命和可靠性等问题,本文研究了产生该问题的源头单粒子效应的基本故障类型及机理,并结合当前国内外对该效应的认识,给出相关研究现状。针对在地面开展该效应的模拟方法、试验设备以及抗单粒子效应设计等方面,进行了分析,同时介绍了国内搭载实验取得的相关成果,为下一步开展抗单粒子效应的工作提供相关依据。
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