基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的12位1.6 GS/s折叠插值A/D转换器

作者：邹沛哲; 王永禄; 易周

来源：微电子学, 2022, 52(02): 301-305.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210240

• 采样/保持电路
• 折叠放大器
• 比较器
• 折叠和插值ADC
• 高速

提出了一种基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的高速、高精度折叠插值A/D转换器。采用基于SEF开关的新型采样/保持电路，固定保持阶段电压，实现了高速、高精度、高线性度的信号采样。采用带有射极跟随器的折叠放大器，构成平均折叠和环形插值的四级级联结构，减少了比较器数目，降低了建立时间和整体功耗。采用新型两级比较器，将模拟与数字信号进行隔离，优化了回踢噪声。使用小尺寸晶体管，减小了再生时间。在3.3/5 V电源和0.13μm SiGe BiCMOS工艺下，该折叠插值A/D转换器实现了1.6 GS/s的采样率，SFDR为71.3 dB,SNDR为63.6 dB,ENOB为10.27 bit。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所; 重庆邮电大学