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摘要
本发明公开了提升光电催化还原CO-2选择性和效率的Bi/SiNWs光电阴极材料及其制备方法,所述材料由铋金属纳米颗粒和硅纳米线阵列组成,其制备方法为采用金属辅助化学刻蚀的方法制得硅纳米线阵列,采用光电沉积的方法在硅纳米线上均匀地负载铋金属纳米颗粒。本发明一方面铋和硅可以形成异质结,加速了光生载流子的分离和迁移速率,降低了光生载流子的复合概率,相比于单一的光催化剂,该结构大幅提高了材料的光电性能,提升了光电催化的效率；另一方面,铋纳米颗粒提供了大量的二氧化碳还原的活性位点,同时调控了光电催化二氧化碳还原的反应方向,提高了对甲酸产物的选择性。
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