有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极及制备方法

作者：王洪; 周泉斌; 高升; 李先辉

来源：2019-08-13, 中国, CN201910746312.X.

本发明公开了有保护层的GaN基HEMT器件源漏电极及制备方法,所述源漏电极为Ti/Al/Ni/Au/X五层金属叠层结构,Ti/Al/Ni/Au/X五层金属叠层结构为在GaN基HEMT器件的外延层上从下到上依次排布的Ti、Al、Ni、Au和X金属层,其中X为TiN、Ti、W或TiW中的一种以上。该制备方法无需额外的光刻步骤,利用磁控溅射中沉积的金属X在剥离后会向两边扩散0.5μm～1μm,从而能够实现将下方的Ti/Al/Ni/Au完全包裹住,改善了退火后金属的形貌,提高了器件击穿电压。

• 单位
  中山市华南理工大学现代产业技术研究院; 华南理工大学