本文比较了传统真空电子器件和固态电子器件的特点,指出结合二者优势的真空纳米三极管出现并非偶然。基于固态微加工工艺的真空纳米三极管,其本质则是极端微型化的真空器件。文中详细介绍了真空纳米三极管的发展历程,并对器件相关技术问题包括器件工作原理,电子发射机理,器件材料、设计、工艺实现,工作环境影响和器件失效机理进行分析。分析结果表明,集成电路工艺兼容的新型真空纳米三极管具有高速、抗辐射特点,并能在低真空甚至大气环境正常工作,成为新一代集成电路技术中CMOS器件的潜在有力竞争者。
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