一种高线性无源双平衡混频器

作者：曲韩宾; 高思鑫^*; 张晓朋; 高博

来源：半导体技术, 2019, 44(06): 421-432.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.06.004

• 混频器
• BiCMOS
• 无源双平衡
• 高线性度
• 下变频

设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器。电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路。为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸,并优化了本振放大器输出信号的幅值及上升时间。基于0.35μm BiCMOS工艺进行了设计仿真,芯片面积为0.9 mm×1.8 mm。流片测试结果表明:射频频率1.0～2.0 GHz,对应本振频率1.0～2.0 GHz,最佳本振输入功率为0 dBm,转换增益大于-7.0 dB,射频输入三阶交调大于25 dBm,混频器工作电压为3.3 V,功耗为112 mW。该高线性无源双平衡混频器可满足工程应用。

• 单位
  河北新华北集成电路有限公司