湿法腐蚀制备Si-TaSi_2场发射阴极阵列的工艺研究

作者：周飞; 张军; 苏海军; 刘林; 傅恒志

来源：铸造技术, 2010, (05): 571-574.

• 湿法腐蚀
• 阴极阵列
• 场致发射性能
• Si-TaSi2共晶 Wet corrosion
• Cathode arrays
• Field emission property
• Si-TaSi2 eutectic

阴极阵列形貌是影响场致发射材料发光性能的关键因素。以Czochralski(Cz)法制备的Si-TaSi2共晶复合材料为场发射阴极材料,采用湿法腐蚀制备Si基TaSi2尖锥型场发射阴极阵列。通过调整腐蚀液配比、腐蚀时间和腐蚀液温度,研究了不同腐蚀条件对Si基TaSi2尖锥形貌及阴极阵列制备的影响,获得了Si基TaSi2尖锥阴极阵列的最佳制备工艺,并对其场发射性能进行了测试。结果表明:在室温17℃,腐蚀液配比v(HF)∶v(HNO3)=1∶4,腐蚀时间15 min下得到了高长径比的TaSi2尖锥,阵列具有较好的场发射性能,开启场强为3.84 V/μm。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学