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摘要
针对MEMS深硅台阶刻蚀产生硅草导致器件短路的问题，分析了硅草形成的原因，通过对深硅台阶刻蚀的主要工艺参数，如刻蚀钝化时间、Ar物理轰击设置单因素实验，提出一种基于Bosch工艺，即采用周期性“刻蚀-钝化-预刻蚀”进行精密台阶结构落差成型的方法，该方法主要通过大幅度提高预刻蚀偏置功率和合理配置刻蚀钝化时间来进行实验。结果表明：在预刻蚀偏置功率100W、预刻蚀时间0.8s的工艺条件下，可以有效的抑制硅草的产生；台阶刻蚀完成后再采用SF6刻蚀气体对台阶侧壁清扫10s，确保硅草去除完全，此时获得的台阶落差结构平整光滑，刻蚀的梳齿垂直度优于90°±1°。该方法 具有重复性好、工艺简单的特点。
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