重复经颅磁刺激对精神分裂症患者事件相关电位的影响

作者：王绍昌; 劳成明; 彭滔; 梅仕锋; 徐璐; 陈兴时^*

来源：临床精神医学杂志, 2020, 30(02): 96-99.

• 重复经颅磁刺激
• 精神分裂症
• 认知功能
• 事件相关电位

目的:探讨重复经颅磁刺激(rTMS)对精神分裂症患者事件相关脑电位(ERPs) N400、P300和失匹配负波(MMN)的影响。方法:给予85例精神分裂症患者(患者组)在原抗精神病药治疗的基础上联合rTMS治疗25次;于rTMS治疗前后进行N400、P300及MMN检测,结果进行自身对照及与76名健康志愿者(正常对照组)比较。结果:与正常对照组比较,患者组额区N400、P300和MMN潜伏期明显延迟、波幅明显降低(P <0.05或P <0.01);治疗后患者额区N400中同音异形异义潜伏期和异音异形异义波幅、额区MMN及P300波幅较治疗前明显提高(P均<0.05)。结论:精神分裂症患者ERP指标异常,经rTMS治疗可明显改善N400、P300和MMN。

• 单位
  上海市精神卫生中心