SiO2@GO增强Ni-W复合镀层及耐磨蚀性能

作者：玄纪元; 王宗宇; 王鑫桐; 陈兵; 张宗佳; 张国松^*

来源：实验室研究与探索, 2023, 42(09): 19-125.

DOI：10.19927/j.cnki.syyt.2023.09.004

• Ni-W镀层
• 氧化石墨烯
• 修饰
• 分散性和导电性
• 耐磨蚀性能

为了消除氧化石墨烯(GO)络合源、降低还原GO电导率，采用不同电流密度制备Ni-W-SiO2@GO镀层，在GO表面原位生成SiO2(SiO2@GO)并对镀层进行了摩擦磨损及电化学实验。结果表明：GO表面原位生成SiO2,靶向去除了C=O基团，消除了GO在镀液中的络合源；随着电流密度的增加，Ni-W-SiO2@GO镀层显微硬度明显提高，在增加到10 A/dm2时，镀层出现裂纹，显微硬度降低。同时还原SiO2@GO的低电导率及阻隔作用提高了Ni-W-SiO2@GO镀层的耐蚀性能，其润滑作用及镀层硬度的增加也提高了磨损性能。

• 单位
  电子工程学院; 山东科技大学