以Mo薄膜为衬底层,采用磁控溅射工艺在热单晶Si(100)基片上制备了3μm厚的SmCo7永磁薄膜,研究了薄膜在25300℃范围内的高温磁学行为。基于趋近饱和定律,建立了薄膜磁晶各向异性常数K1的计算方法,结合薄膜的高温磁化曲线,获得了K1随温度的变化关系。高温磁滞回线测试结果表明,薄膜的剩磁比Mr/Ms随着温度的增加逐渐降低,说明SmCo晶粒的面内取向受到了破坏。此外,薄膜的磁性能具有适当的温度依赖关系,并且温度稳定性良好,有利于实现器件应用。
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