基于GaAs IPD的小型化高选择性X波段宽带带通滤波器

作者：赵辉; 刘海文; 冯林平; 高一强; 孙晓玮

来源：微波学报, 2023, 39(02): 28-38.

DOI：10.14183/j.cnki.1005-6122.202302006

• 带通滤波器
• 砷化镓
• 集成无源器件
• 小型化
• 高选择性
• 宽带

文中设计并实际开发了一种基于砷化镓(Gallium Arsenide, GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)技术的小型化高选择性宽带带通滤波器。首先，所提出的带通滤波器是通过引入集总参数谐振器来设计的，以实现高选择性和宽带性能。其次，进一步研究了实现高选择性和宽带性能的工作原理。最后，为了证明所述性能，基于GaAs-IPD技术设计、制造和测量了一个紧凑型高选择性宽带带通滤波器。该滤波器工作频率覆盖了整个X波段(6～13 GHz),相对带宽为74.0%,带外实现了四个传输零点，从而实现了高选择性和良好的带外性能，芯片尺寸为0.05λ0×0.03λ0。比较了实测结果与电磁仿真结果，验证了该设计的可行性。

• 单位
  杭州电子科技大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 西安交通大学