镍基铋化物GdONiBi和空穴掺杂的Gd_(0.9)Sr_(0.1)ONiBi的超导电性(英文)

作者：葛军饴; 秦晓玲; 曹世勋; 袁淑娟; 张金仓

来源：山东大学学报(工学版), 2009, 39(01): 106-109.

• 镍基铋化物
• 空穴掺杂
• 磁电阻
• 多带效应 nickel-based bismuthide
• hole doped
• magnetoresistance
• multiband effect

制备了镍基化合物GdONiBi,并且得到其超导转变温度为4.5K.通过用Sr元素部分的替代Gd元素向该物质中引入空穴,得到了一种新的超导体Gd0.9Ni0.1其转变温度为4.7K.两种镍基化合物超导体正常金属态的电阻率均显示出金属行为.通过对其磁电阻效应的研究发现其磁电阻效应显示出与铁基超导体不同的行为,表明两者之间的超导机制可能存在差异.

• 单位
  南京大学; 上海大学